Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTC080N120SC1
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTC080N120SC1
NTC080N120SC1 Hakkında
NTC080N120SC1, onsemi tarafından üretilen N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 31A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80mΩ (20A, 20V koşullarında) on direnci düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 56nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Die form paket montajı ile endüstriyel, otomotiv güç yönetimi, elektrik çevirici ve solar inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 178W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1112 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok