Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTC040N120SC1
SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTC040N120SC1
NTC040N120SC1 Hakkında
NTC040N120SC1, onsemi tarafından üretilen N-channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 60A sürekli drain akımı ve 40mOhm (tipik) on-state direnci ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 348W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle güç elektronikleri, solar inverterleri, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel motor sürücülerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Surface mount (Die) paketi endüstriyel üretim için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok