Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTC020N120SC1
SIC MOS WAFER SALES 20MOHM 1200V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTC020N120SC1
NTC020N120SC1 Hakkında
NTC020N120SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 103A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 20mΩ maksimum RdsOn değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Die formunda surface mount paketlemesi ile güç dönüştürme, inverter, şarj sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 535W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek verimli anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok