Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBS9D0N10MC
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC Hakkında
NTBS9D0N10MC, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ile tasarlanmıştır. Maksimum 60A akım kapasitesi (Tc'de) bulunmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 9mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, aydınlatma uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilebilir ve 23nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1695 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 131µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok