Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBS2D7N06M7
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7 Hakkında
NTBS2D7N06M7, onsemi tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 60V drain-source gerilim ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 2.7mOhm maksimum on-resistance (Rds) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, motor sürücüleri, power distribution, DC-DC konvertörler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 10V kapı sürüm geriliminde 110nC gate charge ve 6655pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama performansı ve verimli enerji dönüşümü gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6655 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok