Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBS2D7N06M7
POWER MOSFET, N-CHANNEL, STANDAR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7 Hakkında
NTBS2D7N06M7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim ve 110A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 110nC gate charge ve 6655pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6655 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok