Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTBGS1D5N06C

POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C Hakkında

NTBGS1D5N06C, onsemi tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 35A (Ta) / 267A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile çeşitli ortamlar için uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6250 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55mOhm @ 64A, 12V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 318µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok