Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTBGS004N10G

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
NTBGS004N10G

NTBGS004N10G Hakkında

NTBGS004N10G, onsemi tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 203A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.1mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 340W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile geniş endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 203A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12100 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok