Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1 Hakkında
NTBG160N120SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 19.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) kasa tipi ile surface mount montajına uygun olan NTBG160N120SC1, güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, inverterler ve endüstriyel güç kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 224mΩ (20V, 12A) on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı, zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.8 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 678 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok