Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBG045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBG045N065SC1
NTBG045N065SC1 Hakkında
NTBG045N065SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 62A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile konmutasyon kayıplarını azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-263-8 (D²Pak) paketinde sunulur. Enerji dönüştürme, invertörler, değiştirici devreleri ve elektrik tahrik sistemleri gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapıl yükü (105nC) ve hızlı anahtarlama özellikleriyle sistem verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 325 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 242W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok