Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBG020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBG020N120SC1
NTBG020N120SC1 Hakkında
NTBG020N120SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET'tir. 1200V drain-source voltaj derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 8.6A sürekli drain akımı (Ta) ve 98A (Tc) kapasitesi ile güç yönetimi devrelerinde, invertör ve konvertör tasarımlarında yer alır. 28mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-8 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar mümkün hale gelir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2943 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 468W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok