Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBG020N090SC1
NTBG020N090SC1 Hakkında
NTBG020N090SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 900V Drain-to-Source voltaj derecelendirmesi ve 112A Tc'de sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 28mOhm (15V, 60A koşullarında) on-resistance değeri ile enerji kaybını minimalize eder. D²Pak (TO-263-8) kasa türü yüzey montajı uygulamalarına uygun hale getirmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında iyi performans gösterir. Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta), 112A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 477W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok