Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTBG015N065SC1
NTBG015N065SC1 Hakkında
NTBG015N065SC1, onsemi tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET'tir. 650V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 145A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 18mΩ maksimum on-state direnci ile düşük konduktif kayıplar sağlar. Gate charge değeri 283nC @ 18V'dir. TO-263-8 (D²Pak) paketinde tedarik edilen bu transistör, güç dönüştürme, enerji yönetimi, elektrikli araç sistemleri, endüstriyel sürücüler ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 500W maksimum güç disipasyonu destekler. SiC teknolojisi sayesinde yüksek frekans anahtarlaması ve termal performans avantajları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 145A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 283 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4689 pF @ 325 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 75A, 18V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok