Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB6413ANG

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB6413ANG

NTB6413ANG Hakkında

NTB6413ANG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 42A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilabilir. Gate yükü 51nC ve input kapasitansi 1800pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 136W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile güç elektroniği, motor sürücü, DC-DC dönüştürücü ve enerji yönetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün mühendislik arşivleri için temin edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok