Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB6412A
NTB6412ANT4G Hakkında
NTB6412ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 58A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) surface mount paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 18.2mΩ drain-source direnci (Rds On) ve 100nC gate charge değerleri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 167W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.2mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok