Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB6410ANG
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB6410A
NTB6410ANG Hakkında
NTB6410ANG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 76A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç dönüştürme, motor kontrol, anahtar uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 188W güç saçma kapasitesiyle yüksek güç yoğunluğu olan tasarımlara uygun olup, ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ile güvenli operasyon garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 76A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok