Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB5605T4G
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB5605T4G
NTB5605T4G Hakkında
NTB5605T4G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 18.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybıyla çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor sürücüleri, güç kaynakları, yük anahtarlama devreleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 22nC olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 8.5A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok