Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB5605PT4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB5605PT4G

NTB5605PT4G Hakkında

NTB5605PT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 18.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. 140mΩ maksimum on-direnci ve 22nC gate charge karakteristiği ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama ve güç dönüşüm devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil çalışan bu MOSFET, 88W güç tüketim kapasitesine sahiptir. 5V drive voltajıyla standart lojik devrelerle kolaylıkla entegre edilebilir. Obsolete durumdaki bu ürün, miras sistemlerde ve arşiv uygulamalarında referans olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok