Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB5605PG
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB5605
NTB5605PG Hakkında
NTB5605PG, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 18.5A kontinü drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulmaktadır. 140mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 88W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 8.5A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok