Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB5605P
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB5605P
NTB5605P Hakkında
NTB5605P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 18.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan komponent, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 5V gate sürme voltajında 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ve -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama spektrumuna uyum sağlar. 88W güç dağılım kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde değiştirilmiş enerji işleme işlevleri gerektiren tasarımlar için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 8.5A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok