Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB5426NT4G
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB5426NT
NTB5426NT4G Hakkında
NTB5426NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum On-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş ortam koşullarına adapte olabilir. 215W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok