Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB5412NT4G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB5412NT
NTB5412NT4G Hakkında
NTB5412NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 14mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 125W maksimum güç harcaması ve 85nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Parça obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 0 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok