Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB5411NT4G

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB5411NT

NTB5411NT4G Hakkında

NTB5411NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (10mOhm @ 40A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 130nC ve input capacitance 4500pF değerleriyle hızlı komutasyonlar gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 166W maksimum güç yayılım kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok