Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB52N10T4G
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB52N10T4G
NTB52N10T4G Hakkında
NTB52N10T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Vdss (Drain-Source voltajı) ve 52A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 30mOhm (10V, 26A'de) RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve düşük gate charge (135nC) sayesinde hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Motor kontrolleri, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen durumu itibariyle üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok