Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB4302G

MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB4302G

NTB4302G Hakkında

NTB4302G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 74A sürekli drenaj akımına sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (9.3mΩ @ 10V) nedeniyle güç uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 80W güç yayabilir. Vgs(th) 3V ile düşük gate sürüş gerilimi gerektiren tasarımlar için uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok