Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB30N20

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB30N20

NTB30N20 Hakkında

NTB30N20, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 81mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 100nC gate charge ve 2335pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, inverter ve anahtarlamali güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 10V drive voltajı ile TTL/CMOS lojik devrelerle doğrudan uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2335 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok