Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB25P06T4G
NTB25P06T4G Hakkında
NTB25P06T4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 27.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 82mOhm on-resistance değerine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtar uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 120W'a kadar güç saçabilir ve 50nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok