Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF Hakkında

NTB190N65S3HF, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli drain akımı kapasitesi ve 190mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. D²PAK-3 (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±30V gate gerilimi toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 34nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok