Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB18N06G

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB18N06G

NTB18N06G Hakkında

NTB18N06G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen NTB18N06G, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 22nC gate charge ve 450pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok