Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB13N10T
NTB13N10T4G Hakkında
NTB13N10T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 13A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devrelemeleri ve DC-DC konverter uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket tipi, kompakt tasarımlar için uygundur. 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve yük kontrolü devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok