Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTB13N10G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTB13N10G
NTB13N10G Hakkında
NTB13N10G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç kontrol uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 165mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıpla çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, 64.7W maksimum güç dağıtımı sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynağı ve anahtar uygulamalarında tercih edilir. Bileşen, Kasım 2024 itibariyle üretilmemekte olup, stok kaynaklar tarafından temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok