Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB13N10

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB13N10

NTB13N10 Hakkında

NTB13N10, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç kontrol uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, düşük on-dirençli (RDS(on) = 165mΩ @ 10V) tasarımı sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan NTB13N10, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 64.7W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun bir çözüm sunur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 64.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok