Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTB004N10G

MOSFET N-CH 100V 201A TO263

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NTB004N10G

NTB004N10G Hakkında

NTB004N10G, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. 201A sürekli dren akımı kapasitesi ve 4.2mΩ on-resistance değerleriyle yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 340W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uyarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 201A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok