Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTAT6H406NT
NTAT6H406NT4G Hakkında
NTAT6H406NT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 80V Drain-Source gerilimi ve 175A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.9mOhm (@ 50A, 10V) RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. DPAK/ATPAK paket tipi ve SMD montajı ile PCB'lere doğrudan entegre edilebilir. TO-252-3 kasa şekli kompakt tasarımlar için uygun alana sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8040 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK/ATPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok