Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP90N06VLG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 90A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP90N06VLG

NP90N06VLG-E1-AY Hakkında

NP90N06VLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (7.8mOhm @ 45A, 10V) ile verimli enerji transferi sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devreleri başta olmak üzere endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.5V threshold voltajı ile uyumlu sürücü devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok