Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP90N06VDK-E1-AY

POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP90N06VDK

NP90N06VDK-E1-AY Hakkında

Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen NP90N06VDK-E1-AY, N-Channel MOSFET yapısında bir güç transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5.3mΩ on-resistance değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, elektrik çevirgeleri, güç yönetimi devreleri ve oto elektrik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve 175°C'ye kadar sıcaklık dayanımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZP)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok