Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP90N055VUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP90N055VUK

NP90N055VUK-E1-AY Hakkında

NP90N055VUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim (Vdss) ile 90A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 3.85mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajına uygun tasarımı, kompakt PCB tasarımlarında tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.85mOhm @ 45A, 5V
Supplier Device Package TO-252-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok