Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP90N055VDG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 90A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP90N055VDG
NP90N055VDG-E1-AY Hakkında
NP90N055VDG-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 6mΩ on-state direnci ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilen transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 105W güç tüketim kapasitesi ile yüksek akım işleme gerektiren uygulamalara uygundur. (Ürün obsolete durumdadır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok