Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP90N055NUK-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
NP90N055NUK

NP90N055NUK-S18-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP90N055NUK-S18-AY, 55V drain-source gerilimi ve 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (3.8mOhm @ 45A, 10V) ile yüksek verimli güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Maksimum 176W güç saçma kapasitesi (Tc) ile motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -20V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı ve 175°C çalışma sıcaklığı özelliği ile geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok