Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP90N04VUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP90N04VUG
NP90N04VUG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP90N04VUG-E1-AY, 40V drain-source geriliminde 90A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve yüksek güç uygulamalarında 105W ısı dağıtımı kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok