Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP90N04VLK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP90N04VLK

NP90N04VLK-E1-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP90N04VLK-E1-AY, 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.8mOhm (10V, 45A koşulunda) düşük on-direnç değerine sahiptir. 102nC gate charge ve 5700pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve maksimum 175°C işletme sıcaklığına dayanır. Güç kaynağı denetim devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZP)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok