Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP90N03VUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP90N03VUG
NP90N03VUG-E1-AY Hakkında
NP90N03VUG-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2mOhm RDS(on) değeriyle düşük açılış direnci sağlar. 135nC gate charge ve 7500pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. Maksimum 175°C sıcaklığa kadar çalışabilir ve 1.2W (Ta) / 105W (Tc) güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Paket, PCB'ye yüzey montajı ile uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok