Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP90N03VHG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP90N03VHG
NP90N03VHG-E1-AY Hakkında
NP90N03VHG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paket türünde sunulan bu transistör, 3.2mΩ maksimum Ron direnciyle düşük kaybılı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen bileşen, 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığında güvenli işlem sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri, motor kontrol devreleri ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok