Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP89N06PDK-E1-AY
P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP89N06PDK
NP89N06PDK-E1-AY Hakkında
NP89N06PDK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.3mOhm düşük on-direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimalize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Otomotiv uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve load switch devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 10V gate gerilimi ile tam açma durumunda çalıştırılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok