Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP89N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP89N055PUK
NP89N055PUK-E1-AY Hakkında
NP89N055PUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücülerinde, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. 175°C çalışma sıcaklığına dayanabilir ve 147W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok