Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP89N055NUK-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
NP89N055NUK

NP89N055NUK-S18-AY Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen NP89N055NUK-S18-AY, 55V drain-source geriliminde 90A sürekli akım kapasitesi ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 4.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 147W güç dağıtma kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygun bir bileşendir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 102nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok