Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP89N04NUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 90A TO262
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP89N04NUK
NP89N04NUK-S18-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP89N04NUK-S18-AY, N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 40V drain-source voltajında 90A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 3.3mOhm maksimum drain-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 175°C'ye kadar çalışabilmesi, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. 10V gate drive voltajında 102nC gate charge karakteristiğine sahip olan bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok