Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP88N04KUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 88A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP88N04KUG
NP88N04KUG-E1-AY Hakkında
NP88N04KUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 88A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paket formatında sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.9mΩ @ 44A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. Maksimum gate voltajı ±20V, threshold voltajı 4V @ 250µA olup, 175°C'ye kadar işletim sıcaklığına dayanıklıdır. Güç dağıtımı kapasitesi Tc'de 200W'dur. Bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım yeteneği ve düşük iletim direnci sayesinde ısı yönetiminde etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok