Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP88N03KDG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 88A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NP88N03KDG

NP88N03KDG-E1-AY Hakkında

NP88N03KDG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 88A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -20V ile +20V arasında gate gerilimi tolerans gösterir ve 175°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye monte edilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package TO-263
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok