Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP83P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP83P04PDG
NP83P04PDG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP83P04PDG-E1-AY, P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 83A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263 yüzey montaj paketi içerisinde sunulur. 5.3mΩ on-resistance değeriyle düşük kayıplar sağlar. Gate charge 200nC@10V ve input capacitance 9820pF@10V olarak belirtilmiştir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Vgs(th) threshold voltajı 2.5V@1mA'dir ve aktif durumlu (Active) bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9820 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 41.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok